AMC监测快速监测、报警、极低浓度测量、宽测量区域、多气体的高灵敏响应等是半导体工业要求之一。

        完善的空气分子污染物AMC监测

实时监测空气分子污染（AMC ）对于半导体生产过程极为重要。

AMC监测快速监测、报警、极低浓度测量、宽测量区域、多气体的高灵敏响应等是半导体工业要求之一。深紫外光刻工艺特别关注氨、胺类、N-甲基毗咯烷酮NMP、酸类等浓度测量，当这些气体与化学放大光刻胶反生反应 时，将深深的影响半导体器件质量。

传统古老的方法多采用间接测量分析方法。包括撞击滤尘器、离子色谱、化学荧光法，这些方法分析速度太慢，操作过程太复杂，昂贵并且测量结果不精确。

     CEAS （腔增强吸收光谱）---原理

基于CEAS（腔增强吸收光谱）技术的仪器原理图，使用近红外波段光进行高灵敏度吸收测量，测量腔室由一组高反射率多次反射镜片组成的柱状体构成，激光束经过固态校准器（FSR=2.00GHz）时会测量得到相对激光波长。为了保证清晰度，忽略了原本照射到左侧测量单元腔镜外的光束。

EP增强型版本集成了压力传感器和内部温度控制器，具有超稳定性测量腔室，防止温度漂移、压力变化等造成的误差。

       CEAS（腔增强吸收光谱）相比于第一代的CRDS（腔衰荡光谱）技术，有许多已被证明的优势。简而言之，激光束不需要 共振耦合进入测量腔室（例如光束不需要严格对准）。DUKE分析仪器和系统具有天生安装简单、机械牢固、防护结实等特点。